據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道,比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀日前表示,比亞迪車(chē)規(guī)級(jí)的IGBT已經(jīng)走到5代,碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代,第4代正在開(kāi)發(fā)當(dāng)中。目前在規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線,預(yù)計(jì)到明年有自己的產(chǎn)線。
比亞迪漢 企業(yè)供圖
碳化硅(SiC)電力電子器件將替代IGBT——這是英飛凌、羅姆等國(guó)際知名企業(yè)一致觀點(diǎn)。而比亞迪已經(jīng)開(kāi)始布局。
據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道,比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀日前表示,比亞迪車(chē)規(guī)級(jí)的IGBT已經(jīng)走到5代,碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代,第4代正在開(kāi)發(fā)當(dāng)中。目前在規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線,預(yù)計(jì)到明年有自己的產(chǎn)線。
提到SiC大家可能有些陌生,碳化硅(SiC)其實(shí)是一種廣泛使用的老牌工業(yè)材料,1893年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn),至今一直在使用。不過(guò)自然界中很難找到碳化硅。
而在新能源汽車(chē)領(lǐng)域,碳化硅主要用于動(dòng)力控制單元。目前主流車(chē)廠仍然使用IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片),但特斯拉、比亞迪已經(jīng)在 Model 3、漢EV車(chē)型上開(kāi)始使用Sic MOSFET(碳化硅功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。
值得一提的是,漢EV也是國(guó)內(nèi)*批量搭載Sic MOSFET組件的車(chē)型。
相比于IGBT,碳化硅(SiC)是一個(gè)更先進(jìn)的做控制器的電力電子芯片,頻率、效率可以做到很高,體積可以非常小。
研究顯示,SiC的功率損耗較IGBT下降了87%。結(jié)合功率半導(dǎo)體在整車(chē)中的能量損耗占比數(shù)據(jù)可以得出,僅僅是將IGBT替換為SiC,就可提高整車(chē)?yán)m(xù)航里程10%左右,這對(duì)于極其在意續(xù)航能力的電動(dòng)車(chē)來(lái)說(shuō)受益匪淺。
比亞迪在半導(dǎo)體行業(yè)布局較早,早在2005年就成立了IGBT團(tuán)隊(duì),并于2009年推出*自主研發(fā)IGBT芯片,打破國(guó)外企業(yè)的技術(shù)壟斷。
目前,比亞迪已研發(fā)出SiC MOSFET。按照計(jì)劃比亞迪公布的計(jì)劃,預(yù)計(jì)到2023年,其旗下電動(dòng)車(chē)將實(shí)現(xiàn)碳化硅功率半導(dǎo)體IGBT的全面替代,整車(chē)性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%。
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